VLSI 製造技術, 6/e

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VLSI 製造技術, 6/e

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目錄大綱

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第 1 章　導　論

第一篇　元件物理

第 2 章　半導體材料

第 3 章　元　件

第 4 章　應用元件

第二篇　單元製程

第 5 章　薄膜沉積 I ── 物理氣相沉積

第 6 章　薄膜沉積 II ── 化學氣相沉積

第 7 章　微　影

第 8 章　蝕　刻

第 9 章　摻　雜

第10章　氧化與熱處理

第11章　先進單元製程 ── CMP

第三篇　製程整合

第12章　MOS 製程

第13章　隔離製程

第14章　多重內連線製程 I ── 平坦化

第15章　多重內連線製程 II ── 金屬化

第16章　先進整合技術 I ── 電晶體

第17章　先進整合技術 II ──多重內連線

第四篇　製程設備

第18章　氣體輸送系統

第19章　真空系統

第20章　設備整合

附錄 A　電　漿

附錄 B　DRAM

附錄 C　Schrodinger 方程式與自由電子模型

附錄 D　C-V 量測

附錄 E　半導體製程材料的安全性數據 (MSDS)

附錄 F　主要常數及矽和二氧化矽的物化特性

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