半導體製程技術導論, 3/e

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半導體製程技術導論, 3/e

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內容描述

<本書優點特色>
1.本書延續上一版，極完整的章節架構，並更新了各相關新技術。2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。

<內容簡介>
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

<目錄>
第一章 導論 11.1 積體電路發展歷史 31.2 積體電路發展回顧 141.3 本章總結 22習題 22參考文獻 22第二章 積體電路製程介紹 252.1 積體電路製程簡介 262.2 積體電路的良率 262.3 無塵室技術 302.4 積體電路製程區間基本結構 382.5 積體電路測試與封裝 482.6 積體電路未來發展趨勢 552.7 本章總結 56習題 57參考文獻 58第三章 半導體基礎 593.1 半導體基本概念 603.2 半導體基本元件 643.3 積體電路晶片 753.4 積體電路基本製程 793.5 互補式金屬氧化物電晶體 863.6 2000後半導體製程發展趨勢 903.7 本章總結 92習題 93參考文獻 93第四章 晶圓製造 954.1 簡介 964.2 為什麼使用矽材料 964.3 晶體結構與缺陷 984.4 晶圓生產技術 1014.5 磊晶矽生長技術 1094.6 基板工程 1174.7 本章總結 121習題 122參考文獻 122第五章 加熱製程 1255.1 簡介 1265.2 加熱製程的硬體設備 1265.3 氧化製程 1305.4 擴散製程 1505.5 退火過程 1555.6 高溫化學氣相沉積 1595.7 快速加熱製程(RTP)系統 1675.8 加熱製程發展趨勢 1745.9 本章總結 176習題 177參考文獻 178第六章 微影製程 1796.1 簡介 1806.2 光阻 1816.3 微影製程 1846.4 微影技術的發展趨勢 2106.5 安全性 2286.6 本章總結 229習題 231參考文獻 232第七章 電漿製程 2357.1 簡介 2367.2 電漿基本概念 2367.3 電漿中的碰撞 2387.4 電漿參數 2427.5 離子轟擊 2477.6 直流偏壓 2497.7 電漿製程優點 2517-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 2557.10 高密度電漿製程 2607.11 本章總結 262習題 263參考文獻 263第八章 離子佈植製程 2658.1 簡介 2668.2 離子佈植技術簡介 2738.3 離子佈植技術硬體設備 2818.4 離子佈植製程過程 2908.5 安全性 3048.6 離子佈植技術發展趨勢 3068.7 本章總結 308習題 309參考文獻 310第九章 蝕刻製程 3119.1 蝕刻製程簡介 3129.2 蝕刻製程基礎 3149.3 濕式蝕刻製程 3209.4 電漿(乾式)蝕刻製程 3259.5 電漿蝕刻製程 3389.6 蝕刻製程發展趨勢 3579.7 蝕刻製程未來發展趨勢 3599.8 本章總結 361習題 362參考文獻 362第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 36510.1 簡介 36610.2 化學氣相沉積 36810.3 介電質薄膜的應用 38510.4 介電質薄膜特性 39310.5 介電質CVD製程 40610.6 塗佈旋塗矽玻璃 42010.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 42110.8 介電質CVD反應室清潔 42410.9 製程發展趨勢與故障排除 42810.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 43410.11 本章總結 441習題 443參考文獻 444第十一章 金屬化製程 44711.1 簡介 44811.2 導電薄膜 45011.3 金屬薄膜特性 46411.4 金屬化學氣相沉積 47211.5 物理氣相沉積 48111.6 銅金屬化製程 49311.7 安全性 49911.8 本章總結 499習題 501參考文獻 502第十二章 化學機械研磨製程 50312.1 簡介 50412.2 CMP硬體設備 51412.3 CMP研磨漿 51712.4 CMP基本理論 52312.5 CMP製程過程 52912.6 CMP製程發展趨勢 53812.7 本章總結 539習題 540參考文獻 542第十三章 半導體製程整合 54513.1 簡介 54613.2 晶圓準備 54613.3 隔離技術 54813.4 井區形成 55413.5 電晶體製造 55713.6 金屬高k閘極MOS 56113.7 互連技術 56513.8 鈍化 57413.9 總結 575習題 575參考文獻 576第十四章 IC製程技術 57714.1 簡介 57814.2 上世紀80年代CMOS製程流程 57814.3 上世紀90年代CMOS製程流程 58214.4 2000年代CMOS製程流程 59614.5 2010年代CMOS製程流程 61514.6 記憶體晶片製造製程 62714.7 本章總結 644習題 645參考文獻 646第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649參考文獻 656