微電子學《第二冊》

內容描述

第六章場效電晶體電路
簡介
6-1MOS電容與臨界電壓
6-2 增強式NMOS電晶體
6-3 實際考量與修正
6-4 增強型P通道MOSFET
6-5MOSFET縮小尺寸後的效應
6-6CMOS與BiCMOS之元件概念
6-7 有內建通道的FET
6-8FET放大器的偏壓
6-9FET的小信號模型
6-10 分立式單級FET放大器
6-11 汲閘跨接負回授的增強型MOS放大器
6-12多電晶體放大器
附錄
A6-1Vt的推導與其影響因素
A6-2增強型NMOS電晶體之製程概念介紹
A6-3CMOS圖案設計與元件
 第七章電晶體電流源電路
簡介
7-1 電晶體尺寸縮小的得失與比較
7-2 電晶體電流源的概念
7-3 BJT電流鏡電路
7-4 BJT電流鏡的改良
7-5 特殊的BJT電流源
7-6 MOS的基本電流鏡
7-7 MOS電流鏡的改良電路
7-8 電晶體電流源的整理
7-9 無關於電源供應的MOS偏壓電路
第八章積體式單級放大器
簡介
8-1 全NMOS共源放大器
8-2 積體式共源與共射放大器
8-3 退化的共源與共射放大器
8-4 積體式共閘與共基放大器
8-5 積體式源極追隨器與射極追隨器
8-6 複習：單級放大器宏觀分析之總結
8-7 串疊放大器與摺疊放大器
 第九章差動對與多級放大器
簡介
9-1 BJT差動對的結構與操作特色
9-2 BJT差動對的重要課題與大信號分析
9-3 差動對的電路符號與輸出表示法
9-4 純差模放大的分析
9-5 共模操作的分析
9-6 具有射極退化的差動放大器
9-7 單端輸入式的BJT差動放大器
9-8 MOSFET差動放大器
9-9 元件不匹配所導致的問題
9-10 電流鏡主動負載式MOS差動對
9-11 電流鏡主動負載式BJT差動對
9-12 BiCMOS差動放大器
9-13 多級放大器
 第十章功率放大器
簡介
10-1 基本觀念
10-2 功率電晶體元件
10-3 散熱與熱阻
10-4A類放大器
10-5B類功率放大器
10-6AB類功率放大器