半導體元件物理與製作技術, 3/e (Semiconductor Devices Physics and Technology, 3/e)

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半導體元件物理與製作技術, 3/e (Semiconductor Devices Physics and Technology, 3/e)

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內容描述

<內容簡介>
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。

<章節目錄>
第零章　簡　介
第一部分　半導體物理

第一章　熱平衡時的能帶及載子濃度
第二章　載子傳輸現象

第二部分　半導體元件

第三章　正 ─ 負接面
第四章　雙載子電晶體及其相關元件
第五章　金氧半電容及金氧半場效電晶體
第六章　先進金氧半場效電晶體及其相關元件
第七章　金半場效電晶體及其相關元件
第八章　微波二本極體，量子效應及熱電子元件
第九章　發光二極體及雷射
第十章　光感測器及太陽能電池

第三部分　半導體製作技術

第十一章　晶體成長及磊晶
第十二章　薄膜形成
第十三章　微影與蝕刻
第十四章　雜質摻雜
第十五章　積體元件

附錄