電子學分類題庫第二輯
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電子學分類題庫第二輯 (共608頁、664題) 第六章 FET元件6-1 結構與剖面圖(一) 增強型NMOS方面(二) 增強型PMOS方面(三) CMOS方面(四) CMOS製程的元件(五) 綜合問題6-2 特性方程式與基本特性(一) 電壓電流特性方程式的推導(二) 通道長度調變效應(三) 本體效應(基板效應)(四) 通道臨界電壓問題(五) PMOS與NMOS的特性比較(六) 增強型MOS的觀念(七) 溫度效應(八) 其他特性6-3 有內建通道的FET (一) 空乏型MOSFET方面(二) JFET方面6-4 FET的小信號模型(一) 中低頻帶方面(二) 高頻帶方面6-5 FET與BJT的元件特性比較(一) 電流或物理機制比較(二) 小信號或交流方面的比較(三) 綜合比較6-6 綜合性問題
第七章 FET分立式電路7-1 偏壓分析與設計(一) 原始結構與基本概念(二) 一個MOS二極體的偏壓(三) 兩個MOS二極體的偏壓(四) 三個MOS二極體的偏壓(五) 源極負回授的偏壓(六) 四電阻偏壓法(七) 汲極負回授與CMOS偏壓(八) 三極管區的偏壓問題(九) 串疊的偏壓分析(十) 其他的偏壓分析 7-2 共源放大器電路(一) 原始偏壓的共源放大器(二) 電流源偏壓的共源放大器(三) 正負電源偏壓的共源放大器(四) 四電阻偏壓的共源放大器7-3 源極退化共源放大器(一) 不考慮ro者(二) 有考慮ro者7-4 共閘放大器電路(一) 不考慮ro者 (二) 有考慮ro者7-5 源極追隨器電路(一) 不考慮ro者(二) 有考慮ro者 7-6 汲閘跨接負回授放大器(一) NMOS共源放大器(二) 分立式CMOS共源放大器(三) 汲閘跨接負回授的共閘放大器 7-7 FET分立式串疊放大器 7-8 FET分立式串接放大器(一) CD-CG串接放大器(二) CS-CS串接放大器(三) CS-CD串接放大器7-9 其他結構的分立式電路7-10 綜合與比較7-11 空乏型MOS放大器
第八章 電晶體電流源電路 8-1 BJT基本電流鏡電路(一) 基本觀念與單純型(二) 考慮爾利效應的基本型(三) 多倍數電流複製(四) BJT導控電流8-2 BJT電流鏡的改良(一) 基極電流補償(二) BJT威爾森電流鏡8-3 Wildar電流源電路(一) 特性與推導(二) 電阻設計與分析(三) 結構演變8-4 MOS基本電流鏡電路(一) 基本觀念與單純型(二) 偏壓電採用MOS二極體(三) 多倍數電流複製(四) MOS導控電流8-5 MOS串疊電流鏡電路(一) NMOS型(二) PMOS型 8-6 MOS威爾森電流鏡電路(一) 未修正型(二) 修正型8-7 與Vt無關的電流鏡電路8-8 特殊的電流鏡電路與其他(一) 有溫度補償的BJT電流源(二) 改良型的BJT串疊電流鏡(三) PTAT電流源(四) 其他電流源電路 第九章 積體式單級放大器9-1 增強型負載共源放大器(一) 圖解與電壓轉換曲線(二) 偏壓與增益分析(三) PMOS二極體負載9-2 空乏型負載共源放大器9-3 積體式CMOS共源放大器(一) 圖解與電壓轉換曲線 (二) 小信號分析 (三) 綜合問題(四) 負載具有分流結構者9-4 源極退化CMOS共源放大器9-5 積體式共射放大器與其退化(一) 無射極退化者(二) 有射極退化者9-6 積體式CMOS共閘與共基放大器(一) 共閘放大器方面(二) 共基放大器方面9-7 積體式源極追隨器與射極追隨器(一) 源極追隨器方面(二) 射極追隨器方面9-8 積體式串疊(疊接)放大器(一) MOS方面(二) BJT方面(三) BiCMOS方面(四) 摺疊放大器 9-9 積體式串接放大器(一) CS-CS串接或CE-CE串接(二) CS-CD串接 (三) CD-CG串接或CC-CB串接(四) 其他串接 9-10 綜合問題
第十章 差動對與多級放大器10-1 差動對的大信號分析(一) BJT方面(二) MOS方面10-2 BJT差動對的小信號分析(一) 射極以電阻為偏壓者 (二) 射極以電流源為偏壓者(三) 具有射極退化電阻者 (四) 輸出端具有跨接電阻者10-3 單端輸入式的BJT差動放大器10-4 MOS差動對的小信號分析(一) 源極以電阻為偏壓者(二) 源極以電流源為偏壓者(三) 具有源極退化電阻者 (四) 輸出端具有跨接電阻者(五) 單端輸入式 10-5 元件不匹配的問題(一) BJT方面 (二) MOS方面 (三) 比較與說明 10-6 主動負載MOS差動放大器(一) 電流鏡負載式 (二) 電流源負載式(三) 有MOS二極體為負載或分流者10-7 主動負載BJT差動放大器(一) 電流鏡負載式(二) 電流源負載式(三) 其他形式者10-8 BiCMOS差動放大器10-9 多級的差動放大器電路10-10 其他與綜合問題