半導體元件物理學, 3/e (上冊) (Physics of Semiconductor Devices, 3/e)

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半導體元件物理學, 3/e (上冊) (Physics of Semiconductor Devices, 3/e)

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內容描述

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<內容簡介>
本書適用電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應元件概念以及品質上的巨大進展，第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上，使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性，包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件，為了採用及參考本書的研究生需要設計，新版的內容包含：

將最新的發展徹底更新。
新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space  transfer以及更多的元件。
將材料完全重新組織。
在每一章的後面設立問題集。
所有的圖以最高的品質重新繪製。

<章節目錄>
導論
第一部份  半導體物理
第一章  半導體物理及特性—回顧篇

1.1  簡介
1.2  晶體結構
1.3  能帶與能隙
1.4  熱平衡狀態下的載子濃度
1.5  載子傳輸現象
1.6  聲子、光和熱特性
1.7  異質接面與奈米結構
1.8  基本方程式與範例

第二部份  元件建構區塊
第二章  p-n接面

2.1  簡介
2.2  空乏區
2.3  電流-電壓特性
2.4  接面崩潰
2.5  暫態行為與雜訊
2.6  終端功能
2.7  異質接面

第三章  金屬-半導體接觸

3.1  簡介
3.2  位障的形成
3.3  電流傳輸過程
3.4  位障高度的量測
3.5  元件結構
3.6  歐姆接觸

第四章  金屬-絕緣體-半導體電容器

4.1  簡介
4.2  理想MIS電容器
4.3  矽MOS電容器

第三部份  電晶體
第五章  雙載子電晶體(BJT)

5.1  簡介
5.2  靜態特性
5.3  微波特性
5.4  相關元件結構
5.5  異質接面雙載子電晶體

第六章  金氧半場效電晶體(MOSFET)

6.1  簡介
6.2  基本元件特性
6.3  非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4  元件微縮與短通道效應
6.5  MOSFET結構
6.6  電路應用
6.7  非揮發性記憶體元件
6.8  單電子電晶體

第七章  接面場效電晶體(JFET)、金屬半導體場效電晶體(JFET)以及調變摻雜場效電晶體(MODFET)

7.1  簡介
7.2  JFET和MESFET
7.3  MODFET

附錄
索引

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